GNN新聞

ETC2006-04-15 08:18

金士頓推出 Fully Buffered DIMM 記憶體模組產品

(GNN 記者 Sam 報導)

  獨立記憶體模組製造商金士頓科技,4 月 12 日宣布將率先推出新一代 Fully Buffered DIMM(FB-DIMM)記憶體模組產品。

  FB-DIMM 記憶體模組具有高速度、大容量等特性,可擁有高達 6 個的記憶體通道,每個通道能支援多達 8 個雙通道記憶體模組,大幅超越現有的 DDR2 記憶體模組,並且允許 2 個通道同時進行讀寫操作,預料將會成為未來記憶體模組技術的主流。

  本次金士頓所推出的 FB-DIMM 系列記憶體模組產品,容量 512MB 至 2GB,遵循 JEDEC 標準,並解決了 DDR-2 記憶體模組速度與容量並存限制的瓶頸,適用於相關技術之工作站和伺服器平臺,所帶來的好處包括可測量性、相容性和更大容量,同時這個新技術也將會提高速度和增進效能。

◆ 金士頓 FB-DIMM 特性及規格

˙通過 533MHz 最大效能測試
˙1.8 伏特工作電壓
˙增加記憶體效能、效率和速度的運作
˙Latency timings:4-4-4

金士頓 FB-DIMM
料號
容量與特徵
KVR533D2S8F4/512
DDR-2 533-MHz, Single Rank, ECC 512MB Fully Buffered DIMM
KVR533D2D8F4/1G
DDR-2 533-MHz, Dual Rank, ECC 1G Fully Buffered DIMM
KVR533D2D4F4/2G
DDR-2 533-MHz, Dual Rank, ECC 2GB Fully Buffered DIMM

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